具有比**值还要大1.5倍左右的压力量程的变送器。尤其是水压测量和加工处理中，有峰值和持续不规则的上下波动，这种瞬间的峰值能破坏压力传感器，持续的高压
力值或稍微超出变送器的标定**值会缩短传感器的寿命，由于这样做会精度下降，可以用一个缓冲器来降低压力毛刺，但这样会降低传感器的响应速度，所以在选择变送器时，
要充分考虑压力范围，精度与其稳定性。
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TM101-A08-B00-C00-D00-E00-G00
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TM101-A16-B00-C00-D00-E00-G00
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=======TM101-A17-B01-C00-D00-E00-G00变送器/保护表=================
溶剂或有腐蚀性的物质会不会破坏变送吕中与这些
介质直接接触的材料，以上这些因素将决定是否选择直接的隔离膜及直接与介质接触的材料，
般的压力变送器的接触介质部分的材质采用的是，如果你的介质对316不锈钢没有腐蚀性
,那么基本上所有的压力变送器都适合你对介质压力的测量.如果你的介质对316不锈钢有腐蚀性，
那么我们就要采用化学密封,这样不但起到可以测量介质的压力,也可以有效的阻止介质与压力变
送器的接液部分的接触,从而起到保护压力变送器,延长了压力变送器的寿命。
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TM202-A00-B00-C00-D00-E00-G00
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=========TM101-A17-B01-C00-D00-E00-G00============
=========TM101-A17-B01-C00-D00-E00-G00============
PNP常闭:FN0.6-D3-PCD1
NPN常开:FN0.6-M4-NOD1
NPN常闭:FN0.6-M4-NCD1
PNP常开:FN0.6-M4-POD1
PNP常闭:FN0.6-M4-PCD1
NPN常开:FN0.8-D4-NOD1
NPN常闭:FN0.8-D4-NCD1
测量范围的10%到90%之间的精度， 标的精度则是线性度**不好的部分,
也就是我们通常所说的测量反的0到10%以及90%到100%之间的 精度.如欧洲标的精度为1%,则在中国标的精度就为0.5%.
变送器的温度范围：通常一个变送器 会标定两个温度范围，即正常操作的温度范围和温度可补偿的范围
正常操作温度范围是指变送 器在工作状态下不被破坏的时候的温度范围，在超出温度补范围时
，可能会达不到其应用的性能 温度补偿范围是一个比操作温度范围小的典型范围
在这个范围内工作，变送器肯定会达 到其应有的性能指标。温度变从两方面影响着其输出，一是零点漂移；二是影响满量程输出。如
满量程的+/-X%/℃，读数的+/-X%/℃，在超出温度范
测量范围的10%到90%之间的精度， 标的精度则是线性度**不好的部分,
也就是我们通常所说的测量反的0到10%以及90%到100%之间的 精度.如欧洲标的精度为1%,则在中国标的精度就为0.5%.
变送器的温度范围：通常一个变送器 会标定两个温度范围，即正常操作的温度范围和温度可补偿的范围
正常操作温度范围是指变送 器在工作状态下不被破坏的时候的温度范围，在超出温度补范围时
，可能会达不到其应用的性能 温度补偿范围是一个比操作温度范围小的典型范围
在这个范围内工作，变送器肯定会达 到其应有的性能指标。温度变从两方面影响着其输出，一是零点漂移；二是影响满量程输出。如
满量程的+/-X%/℃，读数的+/-X%/℃，在超出温度范
PNP常开:FN0.8-D4-POD1
PNP常闭:FN0.8-D4-PCD1
NPN常开:FN0.8-F5-NOD1
==========TM101-A17-B01-C00-D00-E00-G00================
==========TM101-A17-B01-C00-D00-E00-G00================
NPN常闭:FN0.8-F5-NCD1
PNP常开:FN0.8-F5-POD1
PNP常闭:FN0.8-F5-PCD1
TM301-A03-B01-C00-D00-E00-F00-G00
TM301-A03-B01-C00-D00-E01-F00-G00
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TM301-A07-B00-C00-D00-E00-F00-G00
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SXE9575-175-00K
SXE9575-871-M1
SXE9575-A70-00/13J
SXE9575-A70-00/16L
SXE9575-A70-00/18J
SXE9575-A70-00/19J
=========TM101-A17-B01-C00-D00-E00-G00变送器/保护表=================
=========TM101-A17-B01-C00-D00-E00-G00变送器/保护表=================
SXE9575-A70-00/23N
SXE9575-A70-00/28N
SXE9575-A70-00/29N
SXE9575-A70-00/83J
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SXE9575-A70-01K
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SXE9575-A71-00/12J
SXE9575-A71-00/13J
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SXE9575-A71-00/18J
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结构原理单晶硅谐振传感器的核心部分，即在一单晶硅芯片上采用微
电子机械加工技术（MEMS），分别在其表面的中心和边缘作成两个形状、大小完全一致的H形状的
谐振梁（H型状谐振器有两个振梁），且处于微型真空腔中，使其即不与充灌液接触，又确保振动
时不受空气阻尼的影响， 谐振梁振动原理 硅谐振梁处于由**磁铁提供的磁场中。
SXE9575-A75-00/13J
SXE9575-A75-00/23N
SXE9575-A75-00K
SXE9575-A75-01/23N
SXE9575-A75-01/29N
SXE9575-A75-01K
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SXE9575-A76-00/13J
SXE9575-A76-00K
SXE9575-Z70-00K
SXE9575-Z70-60/13J
SXE9575-Z70-60/18J
SXE9575-Z70-60/19J
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SXE9575-Z70-60/23N
SXE9575-Z70-60/26N
SXE9575-Z70-60/28N
变压器、放大器等组成一正反馈回路，让谐振梁在回路中产生振荡， 受力情况 当单晶
硅片的上下表面受到压力并形成压力差时将产生形变，中心处受至压缩力，边缘处受到张力，因
而两个形状振梁分别感受不同应变作用，其结果是中心谐振梁受压缩力而频减少，边侧谐振梁因
受张力而频率之差对应不同的压力信号，优良的温度影响特性 。
